台积电在2026年6月中国技术论坛上披露，其N2（2nm）纳米片（Nanosheet）晶体管工艺已于2025年Q4进入量产，2026年下半年N2P性能优化版本将接棒投产，搭载背面供电（Super PowerRail）的A16节点预计2026年下半年生产就绪，N2X与N2U分别规划2027年、2028年落地。

6月29日消息，全球人工智能芯片需求持续爆发，直接造成台积电先进制程产能全面挤兑，即便3纳米月产能已拉高至17.5万片，客户的排队状况仍未缓解。

美国芯片龙头英特尔近年陷入经营困境，财务状况持续恶化等待救援，除了软银将出资20亿美元，美国政府也计划入股英特尔，此举引发外界担忧，英特尔若获得政府及资本大力支持，可能对台积电形成威胁。

虽然台积电计划到 2027 年退出氮化镓 （GaN） 晶圆代工业务，但行业巨头英飞凌正在加大努力。

随着电子技术的飞速发展，尤其是在通信、射频和微波领域，矢量网络分析仪（vector network analyzer, vna）作为重要的测试设备，其技术水平的提高和功能的扩展受到了广泛的关注。

随着现代电子设备对高效能和高集成度的追求，开关电源（switching power supply）技术得到了广泛的关注。

浸没式光刻技术是半导体制造领域的一项突破性技术，它相较于传统光刻工艺实现了更高的分辨率和更细微的结构。

技术前沿探索：从微小到宏大的CoWoS封装技术演进在半导体技术的浩瀚星空中，每一次技术的革新都如同星辰般璀璨夺目。去年台积电在欧洲开放创新平台（OIP）论坛上透露的超大版本CoWoS（晶圆上芯片）封装技术，无疑成为了业界关注的焦点。