特瑞仕推出650V高浪涌耐量SiC二极管

650V 6A/8A/10A SiC肖特基势垒二极管XBSC41/XBSC42/XBSC43系列

特瑞仕半导体株式会社（东京都东京都江东区，代表董事：木村岳史，以下简称特瑞仕）开发了具备优异耐浪涌电流与浪涌冲击能力的 650V SiC 肖特基势垒二极管 “XBSC41 / XBSC42 / XBSC43 系列”。

XBSC41/XBSC42/XBSC43系列支持650V耐压，并提供6A、8A、10A多种电流规格，可根据不同应用需求和设计条件进行灵活选择。其低反向恢复特性有效降低了开关损耗，实现了高效率的电能转换。

此外，本系列通过有效降低性能指数（FOM），进一步减少功率损耗，实现高效率运行，同时大幅提升了IFSM（浪涌正向电流）耐量。即使在存在严苛浪涌电流或启动浪涌电流的环境中，也能保持稳定工作，从而提升系统整体可靠性。

该系列在高效率与高可靠性之间实现了高水平平衡，充分发挥了SiC器件高速开关和低损耗的优势，同时在启动及浪涌电流发生时也可提供充足的设计余量。适用于开关电源、白色家电、通用型逆变器等对可靠性要求较高的多种应用场景，可放心使用。

今后，特瑞仕将继续紧跟市场需求，快速开发创新产品，为构建更繁荣的社会贡献力量。