中国上海，2025年9月25日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用东芝最新一代工艺[1]U-MOS11-H制造的100V N沟道功率MOSFET“TPH2R70AR5”。

着物联网（iot）和智能设备的迅速发展，微控制器（mcu）的应用越来越广泛。在众多微控制器中，超低成本的实时微控制器因其低廉的价格和较强的性能，成为了各类应用的首选。

随着电子设备的不断小型化和功能的日益复杂，电路保护的需求也日益增加。瞬态电压抑制二极管（tvs二极管）作为重要的电路保护元件之一，近年来受到了广泛关注。

近年来，随着电子技术的快速发展，显示技术不断创新，广泛应用于消费电子、通信、医疗以及工业等领域。氮化镓（gan）基发光二极管（led）作为一种新兴的光电器件，因其优越的光电性能而受到广泛关注。

随着数据传输和电力传输技术的不断发展，usb4和thunderbolt接口作为现代连接标准的重要代表，已经广泛应用于各种设备中。然而，这些高速接口在工作中极易受到静电放电（electrostatic discharge, esd）等干扰的影响，从而导致设备故障或损坏。

在当今环境危机日益严重的背景下，二氧化碳（co2）作为一种重要的温室气体，其监测与控制显得尤为重要。

双向超低电容esd（静电放电）/瞬态保护二极管是一种重要的电子元器件，广泛应用于现代电子设备中，以防止静电放电和瞬态电压对敏感电路的损害。

risc-v是一种开源的指令集架构（isa），因其灵活性和扩展性而受到广泛关注。