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元坤智造 宇航芯片 高压大功率晶体管

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2020-11-13 09:46:14

高压大功率晶体管是NPN型硅平面晶体管,产品耐压高、功率大,可靠性好,性能指标与Microsemi公司一致,可作为开关或信号放大器件,广泛应用于各种航天系统和其它高可靠应用领域。

大功率晶体管.png

主要特点

◎ NPN型硅平面晶体管

◎ 芯片高耐压、大功率

◎ 芯片表面多层介质钝化

◎ 芯片背面多层金属化

◎ 芯片共晶焊接,导热性好,可靠性高

◎ 抗辐射低剂量率0.01rad(Si)/s时,总剂量≥100K Rad(Si)

产品型号

兼容型号

关键性能指标

封装形式

质量等级

YK3585T

2N3585

VCBO500VVCEO300VVEBO6VIC=5A,β=25100

TO-66

CAST C

GJB JCT

YK6678T

2N6678

VCBO650V VCEO400VVEBO8VIC=15A,β=1540

TO-3

CAST C

GJB JCT

YK5672T

2N5672

VCBO150V VCEO120VVEBO7VIC=30A,β=20100

TO-3

CAST C

GJB JCT

YK5667T

2N5667

VCBO400V VCEO300VVEBO6VIC=5A,β=2575

TO-39

CAST C

GJB JCT

YK5667TU3

VCBO400V VCEO300VVEBO6VIC=5A,β=2575

SMD-0.5

GJB JCT

*YK5109

2N5109

VCBO40VVCEO20VVEBO3V

IC=400mAfT1.2GHz

TO-39

GJB JCT


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