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元坤智造 宇航芯片 高压大功率晶体管

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2020-11-13 09:46:14

高压大功率晶体管是NPN型硅平面晶体管,产品耐压高、功率大,可靠性好,性能指标与Microsemi公司一致,可作为开关或信号放大器件,广泛应用于各种航天系统和其它高可靠应用领域。

大功率晶体管.png

主要特点

◎ NPN型硅平面晶体管

◎ 芯片高耐压、大功率

◎ 芯片表面多层介质钝化

◎ 芯片背面多层金属化

◎ 芯片共晶焊接,导热性好,可靠性高

◎ 抗辐射低剂量率0.01rad(Si)/s时,总剂量≥100K Rad(Si)

产品型号

兼容型号

关键性能指标

封装形式

质量等级

YK3585T

2N3585

VCBO≥500V,VCEO≥300V,VEBO≥6V, IC=5A,β=25~100

TO-66

CAST C

GJB JCT

YK6678T

2N6678

VCBO≥650V ,VCEO≥400V, VEBO≥8V, IC=15A,β=15~40

TO-3

CAST C

GJB JCT

YK5672T

2N5672

VCBO≥150V ,VCEO≥120V, VEBO≥7V, IC=30A,β=20~100

TO-3

CAST C

GJB JCT

YK5667T

2N5667

VCBO≥400V ,VCEO≥300V, VEBO≥6V, IC=5A,β=25~75

TO-39

CAST C

GJB JCT

YK5667TU3

—

VCBO≥400V ,VCEO≥300V, VEBO≥6V, IC=5A,β=25~75

SMD-0.5

GJB JCT

*YK5109

2N5109

VCBO≥40V,VCEO≥20V,VEBO≥3V,

IC=400mA,fT≥1.2GHz

TO-39

GJB JCT


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