双片器件结合集成式肖特基二极管提高功率密度和效率

双片器件结合集成式肖特基二极管提高功率密度和效率，所需PCB空间比6 mm x 5 mm封装减少65 ％。

宾夕法尼亚、MALVERN — 2020年7月9日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc．宣布，推出新款30 V n沟道MOSFET半桥功率级模块－－－SiZF300DT，将高边TrenchFET®和低边SkyFET®MOSFET与集成式肖特基二极管组合在一个小型PowerPAIR® 3．3 mm x 3．3 mm封装中。Vishay Siliconix SiZF300DT提高了功率密度和效率，同时有助于减少元器件数量，简化设计，适用于计算和通信应用功率转换。

日前发布器件中的两个MOSFET采用半桥配置内部连接。 通道1 MOSFET在10 V和4．5 V条件下，最大导通电阻分别为4．5 mW和7．0 mW。通道2 MOSFET在10 V和4．5 V条件下，导通电阻分别为1．84 mW和2．57 mW。两个MOSFET典型栅极电荷分别为6．9 nC和19．4 nC。

SiZF300DT比6mm x 5mm封装类似导通电阻的双片器件节省65 ％的空间，是市场上最紧凑的集成产品之一。器件为设计人员提供节省空间的解决方案，适用于图形加速卡、计算机、服务器以及通信和RF网络设备的负载点（POL）转换、电源以及同步降压和DC ／ DC转换器。

双MOSFET采用独特的引脚配置结构，电流相位输出电流比相同占位面积的同类产品高11 ％，此外，输出电流超过20 A时具有更高的效率。器件引脚配置和大PGND 焊盘还可以增强散热，优化电路，简化PCB布局。

SiZF300DT 经过100 ％ Rg和UIS测试，符合RoHS要求标准，无卤素。

新款双MOSFET模块现可提供样品并已实现量产，大宗订货供货周期为12周。

VISHAY简介

Vishay Intertechnology， Inc． 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、MOSFET和红外光电器件）和无源电子元件（电阻器、电感器、电容器）的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、通信、国防、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。