据外媒《BusinessKorea》8月17日报道，三星预计将在今年内发布236层NAND闪存产品。此外，三星还计划在本月开设一个新的研发中心，该中心将负责开发更先进的NAND闪存产品。

3月15日消息，近日IC Insights发布了2022年《麦克林报告》第一季度更新。对未来的半导体产能、DRAM、闪存、MCU、MPU和模拟芯片细分市场做了详细预测。

设备的设计越来越多地采用片上嵌入式内存容量有限的微控制器，或者干脆完全避开闪存。原因之一是，尽管可以嵌入所需的任意大小容量的内存，但是为了实现更高性能而逐渐缩小尺寸这个自然趋势使得内置或扩展嵌入式内存的成本过高。

近期中芯国际刚刚发布的2019年第二季度财报显示，公司14nm已进入客户风险量产，预期在今年底贡献有意义的营收，第二代FinFETN+1技术平台已开始进入客户导入。中芯国际方面表示，将继续坚持自主研发，深耕不同技术节点平台的拓展，支持客户需要，持续把握市场机遇。

闪存迎来高速发展的时期。据IDC发布的《中国企业级外部存储市场季度跟踪报告，2018年第三季度》显示，2018年第三季度，中国存储市场占全球存储整体市场12.2%的份额，以19.3%的季度增长率仅次于美国市场，位列全球第二。其中全闪存市场表现可圈可点，中国全闪存市场占有量较2017年同期实现了208.2%的大幅增长，这也显示了中国闪存市场的巨大潜力。

　　东芝存储公司和西部数据公司已经签署了全球和解协议，以解决他们正在进行的诉讼和仲裁纠纷，今后将加强和扩大双方的关系，加强双方对正在进行的闪存协作的共同承诺。

　　近日，终于传来了国产内存投产的好消息：专注国产内存的合肥长鑫，已正式投片8Gb LPDDR4规格的DRAM芯片。并且有最新消息显示：2019年开始，内地将有三家存储芯片厂竣工并投入量产内存、闪存。　　

　　近几年间，全球内存闪存芯片不断走高，购买电脑，手机的成本不断增加，让消费者苦不堪言。最近据中国台湾电子时报网站引述业内人士称2019年中国将有三家存储芯片场竣工并投入生产，也就是说在2019年，国内闪存内存芯片即将实现国产化。根据市场的