东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出业界首款[1]2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块---“MG250YD2YMS3”。

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款600V小型智能功率器件（IPD）---“TPD4163F”和“TPD4164F”，可用于空调、空气净化器和泵等直流无刷电机驱动应用。

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款采用东芝新型S-TOGLTM（小型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出最新一代[1]用于工业设备的碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBDs）——“TRSxxx65H系列”。

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用东芝最新一代U-MOS X-H工艺制造而成的100V N沟道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，在其搭载32位微控制器产品组“TXZ+TM族高级系列”的“M3H组”中新推出“M3H组（2）”，

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用最新一代工艺制造[1]的TK055U60Z1，进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列产品线。

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用S-VSON4T封装的光继电器——“TLP3476S”，其导通时间与东芝当前产品TLP3475S相比缩短了一半。该产品于今日开始支持批量出货。