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高压大功率晶体管是NPN型硅平面晶体管,产品耐压高、功率大,可靠性好,性能指标与Microsemi公司一致,可作为开关或信号放大器件,广泛应用于各种航天系统和其它高可靠应用领域。
◎ NPN型硅平面晶体管
◎ 芯片高耐压、大功率
◎ 芯片表面多层介质钝化
◎ 芯片背面多层金属化
◎ 芯片共晶焊接,导热性好,可靠性高
◎ 抗辐射低剂量率0.01rad(Si)/s时,总剂量≥100K Rad(Si)
产品型号 | 兼容型号 | 关键性能指标 | 封装形式 | 质量等级 |
YK3585T | 2N3585 | VCBO≥500V,VCEO≥300V,VEBO≥6V, IC=5A,β=25~100 | TO-66 | CAST C GJB JCT |
YK6678T | 2N6678 | VCBO≥650V ,VCEO≥400V, VEBO≥8V, IC=15A,β=15~40 | TO-3 | CAST C GJB JCT |
YK5672T | 2N5672 | VCBO≥150V ,VCEO≥120V, VEBO≥7V, IC=30A,β=20~100 | TO-3 | CAST C GJB JCT |
YK5667T | 2N5667 | VCBO≥400V ,VCEO≥300V, VEBO≥6V, IC=5A,β=25~75 | TO-39 | CAST C GJB JCT |
YK5667TU3 | — | VCBO≥400V ,VCEO≥300V, VEBO≥6V, IC=5A,β=25~75 | SMD-0.5 | GJB JCT |
*YK5109 | 2N5109 | VCBO≥40V,VCEO≥20V,VEBO≥3V, IC=400mA,fT≥1.2GHz | TO-39 | GJB JCT |
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