先进封装——从CoWoS到混合键合的“黄金时代”

2.5D封装通过硅中介层实现多颗芯片的高密度互连。台积电的CoWoS是这一路线的技术标杆——将GPU/CPU与HBM高带宽内存紧密耦合同一基板上，实现每秒数TB的数据传输带宽，有效突破内存墙瓶颈。英伟达H100、GH200以及AMD MI300系列AI加速器均采用CoWoS封装。2026年，CoWoS产能持续供不应求，台积电、日月光、安靠等全球主要封测厂商都在加速扩产，以满足AI芯片的旺盛需求。

3D封装则更进一步，通过硅通孔技术将多颗芯片垂直堆叠，互连密度比2.5D提升十倍以上。AMD的3D V-Cache技术在CPU芯片上垂直堆叠了64MB L3缓存，使游戏性能提升约15%。SK海力士的HBM3E则通过12层DRAM芯片堆叠，实现了高达1.18TB/s的带宽，每层芯片之间通过微凸点和TSV实现电气连接。混合键合技术是3D封装的最新方向——它取消了传统微凸点，通过铜对铜直接键合，实现了更细间距、更高带宽和更低功耗的芯片间互连。

国内先进封装正处于产能扩张与技术追赶并行阶段。据券商研报估算，2026年国内先进封装产能对应的产值约250至300亿元，而当年国内先进封装总需求约500至600亿元，这意味着近一半的需求依赖海外供应链。在AI芯片封装这一细分市场，国内市场规模约300至400亿元，但国内供应链能触达的份额仅约50亿元，结构性的供给缺口非常明显。

国内封装企业正在积极追赶。长电科技、通富微电和华天科技三大封测龙头均在布局2.5D/3D封装技术。长电科技已量产基于TSV的2.5D封装方案，通富微电则与AMD深度合作。但国内在先进封装的设备、材料和设计工具等环节仍高度依赖进口。先进封装已成为后摩尔时代芯片性能提升的核心驱动力，从CoWoS到混合键合，这场封装革命才刚刚开始。