东芝推出采用最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET

中国上海，2026年6月30日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布，推出采用东芝最新一代工艺U-MOS11-H[1]制造的80V N沟道功率MOSFET——TPM1R408RH。该MOSFET面向AI数据中心和通信基站等工业设备的开关电源。新产品即日起开始出货。

随着AI处理需求持续扩大，数据中心的功耗需求不断增加;同时，通信基础设施的发展也进一步提高了开关电源在高效率、小型化(高功率密度)和低电磁干扰(EMI)方面的要求。由于功率损耗会直接影响系统功耗、发热量和冷却负荷，因此有必要采用具备相应特性的功率半导体，以能平衡降低导通损耗和开关损耗，并有助于实现包括EMI抑制、热设计和安装便利性在内的系统整体优化。

TPM1R408RH还可抑制开关过程中在漏极与源极之间产生的尖峰电压，有助于降低开关电源中的EMI。EMI抑制通常需要在设计后期进行返工，而抑制器件本身产生的尖峰电压有助于减少返工，并简化滤波器和缓冲电路。

新产品采用SOP Advance (E) 封装，与东芝现有的SOP Advance (N) 封装相比，封装电阻约降低65%，热阻约降低15%。通过抑制发热并改善散热性能，该封装支持更高输出功率和更紧凑的电源设计。东芝将继续扩充有助于提升电源效率的功率MOSFET产品线，从而帮助降低工业设备的功耗。