英飞凌推出12kW 高功率密度参考设计

英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)宣布推出一款适用于AI数据中心与服务器的12 kW高性能电源(PSU)参考设计。该参考设计兼具高效率和高功率密度的优势，并采用了包含硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)在内相关半导体材料，为工程师们提供了理想的解决方案，助力加速开发进程。

英飞凌高级副总裁兼电源开关部门总经理Richard Kunčič表示：“ 在AI对能源需求持续增长的当下，英飞凌的贡献在于提供具有极高转换效率的电源解决方案，助力节约每一度电。此次推出的 12 kW高密度PSU参考设计采用了先进的电源转换拓扑，同时结合 CoolMOS™、CoolSiC™和 CoolGaN™技术，使其在能效、可靠性和功率密度方面实现全面突破。我们很自豪能走在赋能AI的前沿。”

为了实现高性能水平，该设计在 AC/DC和 DC/DC级中均采用了先进的功率转换拓扑。前端AC/DC转换器采用三电平飞跨电容交错式功率因数校正(PFC)拓扑，峰值效率可达 99.0% 以上，同时减少磁性元件的体积。这一成果得益于英飞凌的 CoolSiC™技术，同时提供出色的开关性能与优越的热性能。 DC/DC级则采用全桥 LLC 拓扑，通过使用两个平面高频变压器及英飞凌的 CoolGaN™技术，达到超过 98.5%的峰值效率。这些架构与英飞凌最新的宽禁带技术相结合，实现了高达 113 瓦 / 立方英寸(W/in³)的功率密度。

这款12 kW PSU参考设计的另一项关键特性是双向能量缓冲器，它被集成于整体电源供应拓扑中。该转换器不仅能满足保持时间的要求，还显著降低了电容需求。此外，能量缓冲器还具备电网调节功能，抑制电网瞬态波动和跌落产生的干扰，提高系统可靠性。