意法半导体突破20纳米技术节点

2024年3月26日，中国-- 服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)发布了一项基于 18 纳米全耗尽绝缘体上硅(FD-SOI) 技术并整合嵌入式相变存储器 (ePCM)的先进制造工艺，支持下一代嵌入式处理器升级进化。这项新工艺技术是意法半导体和三星晶圆代工厂共同开发，使嵌入式处理应用的性能和功耗实现巨大飞跃，同时可以集成容量更大的存储器和更多的模拟和数字外设。基于新技术的下一代 STM32 微控制器的首款产品将于 2024下半年开始向部分客户提供样片，2025 年下半年排产。

意法半导体微控制器、数字IC和射频产品部总裁Remi El-Ouazzane表示：“作为处于半导体行业前沿的创新企业，意法半导体率先为客户带来汽车级和航天级FD-SOI和PCM技术。我们的下一步行动是，从下一代 STM32 微控制器开始，让工业应用开发者也能享受到这两项先进技术带来的诸多好处。”