ROHM推出高功率密度的新型SiC模块

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出4in1及6in1结构的SiC塑封型模块“HSDIP20”。该系列产品非常适用于xEV（电动汽车）车载充电器（以下简称“OBC”）的PFC*1和LLC*2转换器等应用。HSDIP20的产品阵容包括750V耐压的6款机型（BSTxxx1P4K01）和1200V耐压的7款机型（BSTxxx2P4K01）。通过将各种大功率应用的电路中所需的基本电路集成到小型模块封装中，

可有效减少客户的设计时间，而且有助于实现OBC等应用中电力变换电路的小型化。

HSDIP20内置有散热性能优异的绝缘基板，即使大功率工作时也可有效抑制芯片的温升。事实上，在OBC常用的PFC电路（采用6枚SiC MOSFET）中，使用6枚顶部散热型分立器件与使用1枚6in1结构的HSDIP20模块在相同条件下进行比较后发现，HSDIP20的温度比分立结构低约38℃（25W工作时）。这种出色的散热性能使得该产品以很小的封装即可应对大电流需求。另外，与顶部散热型分立器件相比，HSDIP20的电流密度达到3倍以上；与同类型DIP模块相比，电流密度高达1.4倍以上，达到业界先进水平。因此，在上述PFC电路中，HSDIP20的安装面积与顶部散热型分立器件相比可减少约52％，这非常有利于实现OBC等应用中电力变换电路的小型化。
新产品已于2025年4月开始暂以月产10万个的规模投入量产（样品价格15,000日元/个，不含税）。前道工序的生产基地为ROHM Apollo CO., LTD.（日本福冈县筑后工厂）和蓝碧石半导体宫崎工厂（日本宫崎县），后道工序的生产基地为ROHM Integrated Systems （Thailand）Co., Ltd.（泰国）。如需样品或了解相关事宜，请联系ROHM销售代表或通过罗姆官网的“联系我们”垂询。