AUIRF8739L2TR N沟道汽车用MOSFET

概述

20V至40V N通道汽车用MOSFET符合汽车应用类AEC-Q101标准，有多种封装可供选择，包括D-PAK、TOLL (HSOF-8)、TOLG (HSOG-8) 以及SSO8 (TDSON-8)。这些MOSFET的应用非常广泛，包括EPS电机控制、3相和H桥电机、HVAC风扇控制，以及与PWM控制相结合的电动泵。

AUIRF8739L2TR 场效应管 MOSFET N-CH 40V 57A

规格参数

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：57A（Ta），545A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：0.6 毫欧 @ 195A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：562 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：40V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：17890 pF @ 25 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），340W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：DirectFET 等距 L8

特征

N通道 - 增强模式

出色的RDS(on) 性能，可提高系统效率

较低的开关和传导功率损耗，可提高散热系统可靠性

质量和可靠性基准

宽电压范围：20V至40V

MSL1，峰值回流温度高达260°C

20V至40V MOSFET解决方案非常适合用于EPS电机控制、三相和H桥电机、HVAC风扇控制以及电动泵

外形紧凑，散热性能优异

可靠的绿色封装，易于处理

符合汽车应用类AEC-Q101标准

功率MOSFET的前端和后端零件平均测试

提供支持AOI的封装，用于自动光学检测

封装种类多样，可实现设计灵活性

绿色产品（符合RoHS指令）

100%经雪崩测试

工作温度范围：-55°C至175°C