行业动态 市场趋势 新品发布 客户案例 厂商动态 实时热评 基础知识 技术资讯
SiC是第三代半导体材料的代表。以硅而言,目前SiMosfet应用多在1000V以下,约在600~900V之间,若超过1000V,其芯片尺寸会很大,切换损耗、寄生电容也会上升。SiC器件相对于Si器件的优势之处在于,降低能量损耗、更易实现小型化和更耐高温。SiC功率器件的损耗是Si器件的50%左右。SiC主要用于实现电动车逆变器等驱动系统的小量轻化。
搜 索
热门标签
热门文章
> 光电显示解决方案
> 医疗器械产品服务案例
> 少儿编程教育一站式开发
> 解决智能穿戴设备物料采购
> 汽车灯组控制系统
热门型号
U212TN 智能USB充电器(PET盒)2.4A 2USB
品牌:公牛
U212TN
封装/规格:220V充电头我要选购
GN-L07U 多国转换器
GN-L07U
USB充电器(5V 2A)
GN-U1100N
封装/规格:5V2A我要选购
CR1220-2 电池卧式底座 托盘
品牌:Q&J
CR1220-2
封装/规格:贴片我要选购
七号电池3节并列电池盒 线长150mm
品牌:国产
七号电池3节并列电池盒
封装/规格:引线我要选购
在线客服
服务时间: 周一至周六 9:00 - 18:00
QQ客服
1584878981
客服热线
400-618-9990 / 13621148533
官方微信
关注微信公众号