当前，全球正陷入半导体供需失衡的状态，波及范围之广，影响程度之深可以说是非常罕见的。而目前来看，这种供需失衡的状态短时间内并没有太多缓解的迹象，以MOSFET为例，台系MOSFET大厂大中日前表示，目前不论晶圆代工、封测产能都供给紧张，且不仅有晶圆代工涨价，就连封测厂也调涨报价，使成本不断上升，且这种缺货状况至少延续到年底。

MOS（场效应管）最主要使用在一些绝缘方面的电器里面，所以在使用之前是需要进行有效检测的。由于输入的电阻和电流是比较高的，而且在进行MOS场效效应电极管安装的时候对于电容的要求是非常小的，很容易受到磁场的干扰，所以要进行有效的检测。

功率MOS管在过较大的电流时会有发热现象，电子元器件对温度比较敏感，长期工作在高温状态下，会缩短使用寿命，所以要加快热量的散发。针对MOS管的发热情况可以考虑三个方面去解决。

MOS场效应管即金属氧化物半导体型场效应管，属于绝缘栅型。在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因而具有很高的输入电阻（最高可达10l5Ω）。它分为N沟道管和P沟道管，如图2-54所示。通常是将衬底（基板）与源极S接在一同。