还记得初中物理课上学到关于导体、绝缘体的知识么？

任何情况都要考虑，包括数字信号处理的接口电路中。但是常说的驱动能力都是在驱动功率器件的情况下用得比较多，比如上面提到的MOS驱动。

MOS管是金属—氧化物-半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。​

功率MOS管在过较大的电流时会有发热现象，电子元器件对温度比较敏感，长期工作在高温状态下，会缩短使用寿命，所以要加快热量的散发。针对MOS管的发热情况可以考虑三个方面去解决。

现在电源模块的体积越来越小，功率密度也越来越高，并且模块的工作环境也愈发恶劣，其高低温设计、热设计以及应力问题逐渐引起了各位工程师的重视。电源模块的可靠性设计有何秘籍？本文为你揭晓。

MOS管和IGBT管作为现代电子设备使用频率较高的新型电子器件，因此在电子电路中常常碰到也习以为常。可是MOS管和IGBT管由于外形及静态参数相似的很，有时在选择、判断、使用容易出差池。MOS管和IGBT管可靠的识别方法为选择、判断、使用扫清障碍！

在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。