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MOS场效应管即金属氧化物半导体型场效应管,属于绝缘栅型。在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层,因而具有很高的输入电阻(最高可达10l5Ω)。它分为N沟道管和P沟道管,如图2-54所示。通常是将衬底(基板)与源极S接在一同。
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