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最流行的 e-mode HEMT 结构是在栅极上使用 p-GaN 层。实现的典型 Vt 在 1-2 V 范围内。HEMT 在开关应用中的固有优势得以保留,并且开关损耗可以更低。
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GRM033R71A103KA01D
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1.8nF(182) ±10% 25V 编带
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C0201X7R182K250NTA
3.9pF (3R9) ±0.25pF 50V 编带
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0603CG3R9C500NT
封装/规格:0603我要选购
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CL10F224ZB8NNNC
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