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在现代数据存储技术的发展进程中,nand闪存作为一种主要的存储介质,因其高速度和高密度的特性而被广泛应用于各类电子设备。
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1uF(105) ±10% 6.3V 编带
品牌:muRata(村田)
GRM188R60J105KA01D
封装/规格:0603我要选购
4.7uF (475) -20%,~+80% 16V 编带
品牌:SAMSUNG(三星)
CL21F475ZOFNNNE
封装/规格:0805我要选购
1uF(105) ±10% 50V 编带
品牌:台湾华科(WTC)
1206B105K500
封装/规格:1206我要选购
4.7uF (475) ±10% 16V 编带
CL31A475KOHNNNE
1uF (105) ±10% 16V 编带
CL05A105KO5NNNC
封装/规格:0402我要选购
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