5月31日讯，为应对芯片短缺问题，英飞凌计划加速扩大产能。其首席生产官Rutger Wijburg近日接受德国《商报》采访时表示，英飞凌未来将每两到三年外包一座新晶圆厂，而此前这一频率在四到五年。

5月9日，德国芯片巨头、全球顶尖的功率半导体制造商英飞凌公布，其截至3月31日的第二财季财报业绩好于市场预期。

5月10日，英飞凌科技股份公司发布了一项全新的CoolSiC?技术，即CoolSiC? MOSFET 1200 V M1H。这款先进的碳化硅（SiC）芯片用于颇受欢迎的Easy模块系列，以及采用基于.XT互连技术的分立式封装，具有非常广泛的产品组合。M1H芯片具有很高的灵活性，适用于必须满足峰值电力需求的太阳能系统，如光伏逆变器。

3月21日，英飞凌科技股份公司宣布推出采用TO247PLUS封装的全新EDT2 IGBT。该器件专门针对分立式汽车牵引逆变器进行了优化，进一步丰富了英飞凌车规级分立式高压器件的产品阵容。得益于其出色的品质，EDT2 IGBT符合并超越了车规级半导体分立器件应力测试标准AECQ101，因而能够大幅提升逆变器系统的性能和可靠性。该 IGBT采用汽车级微沟槽场中止单元设计，所用技术已成功应用于EasyPACK? 2B EDT2和HybridPACK?等多款逆变器模块。

全球逐步淘汰化石燃料这一趋势给包括交通运输在内的许多行业都带来了挑战。举例来说，整个社会向绿色出行方式转型，就需要减少短途航班及驾车出行，而这势必会促进轨道交通的发展。政府发布的减碳措施也印证了这一点：例如欧洲计划提供高达数十亿欧元的补贴来支持轨道交通的发展。随着传统的内燃机车、轨道车逐步被环保的电力机车所取代，交通运输行业的变革也即将来临。

英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）将显著扩大宽禁带（碳化硅和氮化镓）半导体的产能，进一步巩固和增强其在功率半导体市场的领导地位。公司将斥资逾20亿欧元，在马来西亚居林工厂建造第三个厂区。建成之后，新厂区将用于生产碳化硅和氮化镓功率半导体产品，每年可为英飞凌创造20亿欧元的收入。

英飞凌科技股份公司（FSE：IFX/OTCQX：IFNNY）在年度股东大会上宣布了监事会的决定，任命RutgerWijburg担任公司新任首席运营官。该任命将于2022年4月1日起正式生效。按照计划，RutgerWijburg将加入英飞凌管理委员会，并接替Jochen Hanebeck担任公司首席运营官，而Jochen Hanebeck将接替Reinhard Ploss博士担任首席执行官。

功率半导体龙头制造商英飞凌周四（2月17日）宣布，将投资超20亿欧元（约合144亿元人民币）提高在第三代半导体（碳化硅SiC和氮化镓GaN）领域的制造能力。