罗姆第四代650V沟槽场截止（Field-Stop Trench）IGBT，2026年发布并实现量产，产品满足AEC-Q101车规标准。

全球知名半导体制造商ROHM（罗姆）近日宣布，面向车载安全功能与保护电路，正式推出100V耐压N沟道功率MOSFET——RS4P063BPHZG。

中国上海，2026年7月23日 —— 全球知名半导体制造商 ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，面向车载安全功能与保护电路，正式推出 100V 耐压 MOSFET 新品“RS4P063BPHZG”。

中国上海，2026年3月2日——全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）今日宣布，决定将自身拥有的GaN功率器件开发和制造技术，与合作伙伴台积公司（TSMC）的工艺技术相融合，在集团内部建立一体化生产体系。

2025年11月18日——全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)今日宣布，进一步扩大其分流电阻器的EROM(Embeddable BCI-ROM)*1模型阵容，并已在罗姆官网发布。