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30V N沟道MOSFET(NMOS)的漏源额定耐压为30V,导通条件为栅极电压高于源极,满足VGS(th)阈值后器件导通。该耐压等级广泛应用于5V、12V、24V系统中,对电压尖峰具备充足的安全裕量。
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