当芯片制造商宣布他们已经成功地将更多的电路封装到芯片上时，通常是较小的晶体管引起了人们的注意。但是连接晶体管形成电路的互连也必须收缩。

人工智能与大数据对芯片的处理能力提出了越来越严苛的要求，芯片的运算能力和存储能力正在成为瓶颈，这也是各家半导体公司竞相开发新的硬件平台、计算架构与设计路线，以期提升芯片性能的主要原因。MRAM、ReRAM 和 PCRAM 等下一代存储器技术兴起，便是芯片与系统设计人员致力研发的重要成果之一。

7月13日报道，国际半导体设备与材料组织（SEMI）7月9日发布预测称，半导体​制造设备2019年的全球销售额将同比减少18％，降至527亿美元（1美元约合6.9元人民币）。半导体厂商正在抑制设备投资。本次发布的数据与2018年底的预期（596亿美元）相比出现下调。

眼下的存储市场正处于多种技术路线并行迭代的关键时期。一方面，应用极为广泛的DRAM和NAND Flash，是目前存储市场上当之无愧的主流产品，但都面临制程持续微缩的物理极限挑战，未来持续提升性能与降低成本变得更加困难。另一方面，3D XPoint、MRAM（磁阻式随机存取存储器）、RRAM（可变电阻式存储器）等下一代存储技术加快开发并且进入市场应用，但尚未实现规模化与标准化，成本过高成为其入市的主要阻碍。下一代存储器何时方能实现规模化发展成为业界关注的焦点之一。

今日，首届软件定义存储峰会在深圳隆重举行。以“软件定义存储未来”为主题，本次峰会邀请到业内数百位领军企业软件定义存储领域的专家及行业用户共聚一堂，深入解读在云计算、人工智能等技术应用迅速发展，数据爆炸式增长的复杂IT环境下，企业如何借助软件定义存储这一技术趋势，推动数字化转型，提升运营效率。

闪存迎来高速发展的时期。据IDC发布的《中国企业级外部存储市场季度跟踪报告，2018年第三季度》显示，2018年第三季度，中国存储市场占全球存储整体市场12.2%的份额，以19.3%的季度增长率仅次于美国市场，位列全球第二。其中全闪存市场表现可圈可点，中国全闪存市场占有量较2017年同期实现了208.2%的大幅增长，这也显示了中国闪存市场的巨大潜力。

东芝周二晚些时候表示，它已开始采用其首个UFS 3.0存储解决方案。该器件面向移动应用，有望提供与PC高端SSD相媲美的性能。东芝的UFS 3.0存储阵容将包括128 GB，256 GB和512 GB的内存，这些内存最初将首先针对今年晚些时候推出的高端智能手机。

在今年的剑桥ARM研究峰会上，ARM公司Fellow Greg Yeric畅谈了ARM对众多新兴非易失性存储器的看法。Yeric表示，ARM正在关注这些前沿的存储技术，因为它有可能对逻辑空间产生巨大的颠覆性，在硬件和软件平台层面也是如此。“有各种类型的电阻式RAM和磁性RAM出现，TSMC最近就制造了一种嵌入式ReRAM，而类似的技术和产品的研发及生产案例还有很多。ARM也有自己的项目，是由DARPA资助的CeRAM（correlated electron RAM）研究”。