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本文重点探讨了200 v、480 a超结mosfet(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,金属氧化物半导体场效应管)在高功率电子器件中的应用,特别是以mpd-x封装形式提供的性能优势。
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47UF 16V ±20% 编带
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ZV221M016E077R
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35SEV220M10X10.5
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