在现代电子器件的发展中，功率器件的性能直接影响到电力电子设备的效率和可靠性。氮化镓（gan）作为一种宽禁带半导体材料，因其优越的电性能和热性能而受到广泛关注。相较于传统的硅（si）基功率器件，gan 器件在高频、高功率密度和高效能方面展现出了明显的优势。

中国上海，2025年9月25日——全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）今日宣布，与英飞凌科技股份公司（总部位于德国诺伊比贝格，以下简称“英飞凌”）就建立SiC功率器件封装合作机制签署了备忘录。

在当前全球能源危机与环境问题愈加严峻的背景下，功率电子器件的发展受到了前所未有的关注。

第三代快速碳化硅功率器件：的产品描述、制造工艺、技术结构、工作原理、芯片分类、主要用途、规格参数、引脚封装、市场应用、故障处理及发展趋势分析。

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布扩大其智能栅极驱动光耦产品线，推出一款输出电流为2.5A的智能栅极驱动光耦---“TLP5222”。这是一种可为MOSFET或IGBT等功率器件提供过流保护的隔离栅极驱动IC，内置保护操作自动恢复的功能。该产品于今日开始出货。