随着现代电子设备对功率密度的不断追求，各类电源模块的设计与应用正在经历深刻的变革。作为电源设计的一个重要方面，隔离式电源模块因其在保护和电磁干扰抑制方面的独特优势而受到广泛关注。

中国上海，2026年3月2日——全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）今日宣布，决定将自身拥有的GaN功率器件开发和制造技术，与合作伙伴台积公司（TSMC）的工艺技术相融合，在集团内部建立一体化生产体系。

在现代电子器件的发展中，功率器件的性能直接影响到电力电子设备的效率和可靠性。氮化镓（gan）作为一种宽禁带半导体材料，因其优越的电性能和热性能而受到广泛关注。相较于传统的硅（si）基功率器件，gan 器件在高频、高功率密度和高效能方面展现出了明显的优势。

中国上海，2025年9月25日——全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）今日宣布，与英飞凌科技股份公司（总部位于德国诺伊比贝格，以下简称“英飞凌”）就建立SiC功率器件封装合作机制签署了备忘录。

在当前全球能源危机与环境问题愈加严峻的背景下，功率电子器件的发展受到了前所未有的关注。

第三代快速碳化硅功率器件：的产品描述、制造工艺、技术结构、工作原理、芯片分类、主要用途、规格参数、引脚封装、市场应用、故障处理及发展趋势分析。

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布扩大其智能栅极驱动光耦产品线，推出一款输出电流为2.5A的智能栅极驱动光耦---“TLP5222”。这是一种可为MOSFET或IGBT等功率器件提供过流保护的隔离栅极驱动IC，内置保护操作自动恢复的功能。该产品于今日开始出货。