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6月4日,记者从武汉理工大学获悉,该校麦立强教授团队在场效应储能芯片研究上取得新进展,相关成果在《细胞》杂志子刊《化学》上发表。
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47pF (470) ±5% 50V 编带
品牌:YAGEO(国巨)
CC0402JRNPO9BN470
封装/规格:0402我要选购
22pF(220) ±5% 50V 编带
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C0201C0G220J500NTA
封装/规格:0201我要选购
22nF (223) ±10% 50V 编带
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0805B223K500NT
封装/规格:0805我要选购
4.7uF(475) -20/+80% 10V 编带
品牌:台湾华科(WTC)
0805F475Z100
1.5uF (155) ±10% 50V 编带
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C3225X7R1H155KT000N
封装/规格:1210我要选购
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