行业动态 市场趋势 新品发布 客户案例 厂商动态 实时热评 基础知识 技术资讯
早在1992年,中国工程院院士许居衍便预测,2014-2017年,人类将进入硅技术生命曲线上的拐点,即将进入“后摩尔时代”。现有冯诺依曼计算系统采用存储和运算分离的架构,存在“存储墙”与“功耗墙”瓶颈,严重制约了系统算力和能效的提升。人工智能的发展已经被算力不足,能效过低所约束和限制。
搜 索
热门标签
热门文章
> 光电显示解决方案
> 医疗器械产品服务案例
> 少儿编程教育一站式开发
> 解决智能穿戴设备物料采购
> 汽车灯组控制系统
热门型号
CBB21金属膜电容 68nF(683) ±5% 400V
品牌:SRD(圣融达)
MPP683J4130510LC
封装/规格:13*5*10/P=10我要选购
CBB81高压高频电容器 33nF(333) ±10% 1250V
PPS333KB191421LC
封装/规格:18*14*21/P=15我要选购
CBB21金属膜电容 470nF(474) ±5% 630V
MPP474J6191220LC
封装/规格:18*12*20/P=15我要选购
CBB21金属膜电容 220nF(224) ±5% 400V
MPP224J4130514LC
封装/规格:13*5*14/P=10我要选购
CBB21金属膜电容 470nF(474) ±10% 630V
MPP474K6190815LC
封装/规格:18*8*15/P=15我要选购
在线客服
服务时间: 周一至周六 9:00 - 18:00
QQ客服
1584878981
客服热线
400-618-9990 / 13621148533
官方微信
关注微信公众号