成功解决世界级芯片难题

功率放大器（Power Amplifier, 简称PA）是射频前端信号发射的核心器件，其性能的高低直接影响终端设备的通信质量和实际体验，在射频前端芯片中处于较为核心的地位。

在对性能不十分苛求的市场领域，CMOS PA正成为GaAs PA的替代产品

近年来，在终端设备设计持续小型化的趋势下，射频前端模组化的趋势日益明显。与此同时，随着通信技术的不断发展，在无线通信、雷达、导航、卫星通信、电子对抗设备等系统中具备无线通信功能的终端设备种类愈加丰富，这带动了射频PA市场的高速发展。

根据Yole的数据，2019年射频功率放大器模组的市场规模为53.76 亿美元，为射频前端市场规模最大的细分领域。据其预测，未来6年PA市场将保持11%的增长率，到2025年市场规模有望达到89.31 亿美元。

作为最重要的射频前端芯片，PA与射频前端行业的整体市场格局相似。根据Yole 的数据，思佳讯、科沃、博通三家厂商占据全球80%以上的PA市场份额。国内市场方面，以唯捷创芯、慧智微、昂瑞微为代表PA企业已具备成熟的射频功率放大器模组产品。

地芯科技副总裁张顶平表示：射频前端虽然整体市场不大，但竞争也非常激烈，目前大概挤入了二十多家公司。这些公司不仅拥有相同的晶圆、架构设计和客户，而且产品还PIN TO PIN 兼容。因此在这种背景下，如果想要脱颖而出，就要做出差异化创新的产品及服务，并且还要有一个比较大的应用场景去供公司成长，这样才有可能在同质化的竞争中走出来。

业内周知，数字芯片主要依靠不断缩小线宽的制程实现技术升级，而射频前端芯片与数字芯片不同，它的技术升级主要依靠新工艺和新材料的结合。

发展至今，射频领域已经经历了多代材料及工艺的迭代。

具体来看，第一代射频材料以硅（Si）为主要原料，工艺以RF CMOS为代表，包括Bulk-Si和SOI工艺，主要满足智能手机、物联网等中低频段射频前端芯片的性能要求；第二代射频材料以砷化镓（GaAs）为代表，在高频领域有着较好的性能，是目前智能手机、路由器等射频芯片主流应用材料；第三代射频材料工艺以氮化镓（GaN）为代表，其禁带宽度更宽、击穿电压更高、饱和电子速率更快，能承受更高的工作温度（热导率高），主要应用在5G 基站及小基站领域。