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MOS管和IGBT管的定义与辨别

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2019-07-09 09:52:36

MOS管IGBT管作为现代电子设备使用频率较高的新型电子器件,因此在电子电路中常常碰到也习以为常。可是MOS管和IGBT管由于外形及静态参数相似的很,有时在选择、判断、使用容易出差池。MOS管和IGBT管可靠的识别方法为选择、判断、使用扫清障碍!

MOS管

MOS管即MOSFET,中文名金属氧化物半导体绝缘栅场效应管。其特性,输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好、电压控制电流等特性。

IGBT管

IGBT中文名绝缘栅双极型场效应晶体管,是MOS管与晶体三极管的组合,MOS是作为输入管,而晶体三极管作为输出管。于是三极管的功率做的挺大,因此两者组合后即得到了MOS管的优点又获得了晶体三极管的优点。

综上所述的两种晶体管,是目前电子设备使用频率很高的电子元器件,两者在外形及静态参数极其相似,某些电子产品是存在技术垄断,在电路中有时它们的型号是被擦掉的,截止目前,它们在命名标准及型号统又没有统一标准,而外型及管脚的排列相似,根本无规律可循,成为维修过程中的拦路虎,如何区分和判断成为必要手段。

MOS管和IGBT管的辨别

带阻尼的NPN型IGBT管与N沟道增强型MOMS管的识别

带阻尼的NPN型IGBT管与N沟道增强型MOMS管它们的栅极位置一样,IGBT管的C极位置跟MODS管的D极位置相对应,IGBT管的e极位置跟MODS管的S极位置相对应,对它们的好坏判断及及区分可以用动静态测量方法来完成。

静态测量判断MOS管和IGBT管的好坏

先将两个管子的管脚短路放掉静电,MOS管的D极与S极之间有个PN接,正向导通反向截止,于是有Rgd=Rgs=Rds=无穷大,Rsd=几千欧。IGBT管的G极到c、e极的电阻应为无穷大,即Rgc=Rge=无穷大,而IGBT管的之间有阻尼二极管的存在,因此具有单向导电反向截止特性,即Rce=无穷大,Rec=几千欧。从这里只能用万用表的电阻档判断出管子的好坏,却区分不出是那种管子。测量得阻值很小,则说明管子被击穿,测量阻值很大,说明管子内部断路

动态测量区分MOS管和IGBT管

先用万用表给管子的栅极施加电压,是场效应管建立起沟道,然后测量D、S及c、e之间的阻值,根据阻值的差异来区分MOS管和IGBT管。

用万用表的电阻档测量两个管子的D、S及c、e之间的电阻,由于场效应管已经建立沟道,Rds=Rsd≈0,而Rce之间呈现电阻Rce,晶体三极管处于放大状态的导通电阻,Rec为内部阻尼二极管的导通电阻,两者均为几千欧。因此根据测量可知,两个管子的导通程度不一样,MOS管的D、S之间电阻值是远小于IGBT管c、e之间的电阻值,于是可以分辨出MOS与IGBT管。


原文标题:MOS管和IGBT管的定义与辨别

文章出处:【微信号:changxuedianzi,微信公众号:畅学电子】


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