东芝已开始采用其首个UFS 3.0存储解决方案

东芝周二晚些时候表示，它已开始采用其首个UFS 3.0存储解决方案。该器件面向移动应用，有望提供与PC高端SSD相媲美的性能。

东芝的UFS 3.0存储阵容将包括128 GB，256 GB和512 GB的内存，这些内存最初将首先针对今年晚些时候推出的高端智能手机。最初，东芝将对128 GB设备进行采样，而更高容量的驱动器将在2019年3月之后提供。所有新产品都基于东芝的96层BiCS4 3D TLC NAND存储器以及内部开发的UFS 3.0控制器。

制造商没有透露其UFS 3.0部件的性能，但仅表示其互连层在两个全双工通道上支持每通道高达11.6 Gbps（HS-Gear4）的数据速率以及QoS功能，以实现通过监控和培训通信渠道进行更可靠的连接，这是规范的具有强制性速度的特征。UFS 3.0驱动器的最高性能约为2.9 GB / s，但东芝目前唯一公开的有关其UFS 3.0产品的信息是其旗舰512 GB设备的顺序读写速度分别与Toshiba的上一代UFS 2.1产品相比大约高出70％和80％。至于电压，它们是UFS 3.0标准的典型值：VCC为1.2 V，VCCQ2为1.8 V，VCC为2.5 V / 3.3 V.

UFS 3.0除了提高理论传输速率，而且温度从-25℃至85℃扩展为- 40℃至105℃，并针对高温下电子流失，增加了数据刷新操作，通过重写数据延长高温下数据保存时间，还增加了温度提醒、报警功能，以符合汽车、监控、工业等领域对宽温的要求。

新的UFS产品符合JEDEC UFS V3.0标准，单通道理论带宽提升到11.6Gbps，传输速度是UFS 2.1的2倍，双通道最高达23.2Gbps，用于满足高端智能型手机，5G手机对更高传输速度的要求。

除了东芝是第一家开始对UFS 3.0存储进行采样的NAND制造商之外，该公司预计今年市场上将出现第一款将使用该驱动器的商用智能手机（因此可享受超快速存储解决方案的优势）。最终，UFS 3.0产品将用于其他性能要求苛刻的应用，例如AR / VR耳机。

原文标题：首款UFS3.0产品：96层 3D NAND，速度高达2.9GB/S

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