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近日,全球第二大晶圆代工厂格芯(GlobalFoundries)宣布,采用12nm FinFET工艺,成功流片了基于ARM架构的高性能3D封装芯片。这意味着格芯亦投身于3D封装领域,将与英特尔、台积电等公司一道竞争异构计算时代的技术主动权。
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18Ω(18R0) ±1% 编带
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CR2010F18RE04
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360Ω(360R) ±1% 编带
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RTT013600FTH
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8.66KΩ(8661) ±1% 编带
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7.5KΩ(7501) ±1% 编带
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5.36KΩ(5361) ±1% 编带
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